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八字ケース集 / 技術/ 威廉·肖克利 (William Shockley)
CASE DETAIL

威廉·肖克利 (William Shockley)

ウィリアム・ショックレーはロンドン生まれでアメリカ育ちの物理学者・発明家で、電子技術の初期発展に大きく関わった。

出生
1910-02-13 12:00 · ロンドン, イングランド
性別
男性
時刻の根拠
AI推定

出生時刻の検証

威廉·肖克利の出生日は1910-02-13として確認しています。信頼できる出生時刻は見当たらないため、12:00は候補時刻として扱います。四柱は庚戌、戊寅、己酉、庚午です。判断の重心は確認できる年月日と公開経歴に置きます。
確定時刻
12:00
時柱
庚午
時刻の根拠
AI推定

コア分析

威廉·肖克利の四柱は庚戌、戊寅、己酉、庚午です。己Earthの日主が戊寅月に生まれており、性格、負荷、才能の使い方から読み始めます。

このページの焦点は創造力・発明性と実行力・行動力です。仕事、評価、衝突、転機を公開経歴と合わせて見ます。

出生時刻は確定記録ではないため、時柱は候補として扱います。

重要な命理サイン
主線
己Earthの日主
構造
月干 戊土 劫財
冲合
年支戌土 · 日支酉金

特質分析

01

創造力・発明性

創造力・発明性は、この命式で見やすい要素です。威廉·肖克利の仕事、評価、圧力、長期的な選択の中で確認します。

02

実行力・行動力

実行力・行動力は、この命式で見やすい要素です。威廉·肖克利の仕事、評価、圧力、長期的な選択の中で確認します。

03

対人協調性

対人協調性は、この命式で見やすい要素です。威廉·肖克利の仕事、評価、圧力、長期的な選択の中で確認します。

04

社会的評価・名声

社会的評価・名声は、この命式で見やすい要素です。威廉·肖克利の仕事、評価、圧力、長期的な選択の中で確認します。

人生タイムライン

各年に出来事、大運、流年、関係、解釈を並べて表示します。

1927
17歳 人生

学びの航海の第一歩、未来の礎を築く

ショックリーはハリウッド高校を順調に卒業し、中等教育課程を修了した。これにより、大学進学と将来の研究キャリアに向けて、堅固な知識基盤が築かれた。

1932
22歳 仕事

カリフォルニア工科大学で知恵の栄冠を手にする

ショックリーはカリフォルニア工科大学で理学士を取得し、物理学と工学を専攻した。将来の科技探究の道のため、堅固な学術基盤を築いた。

1936
26歳 仕事

学府の頂点、博士号の授与

ジョン・C・スレイター教授の指導のもと、マサチューセッツ工科大学(MIT)で『塩化ナトリウム結晶内の電子密度関数』に関する博士論文を完成させ、物理学の博士号を取得し、深い学術的基盤を築いた。

1938
28歳 仕事

知恵の結晶、初めての特許を取得

個人として初めての特許『電子倍増放電器』を取得し、深い学術研究が実用価値のある技術成果へと転換し始めたことを示す。研究キャリアにおける重要な節目を迎えた。

1945
35歳 仕事

未来の鍵を握る:固体物理学の新時代を切り開く

ベル研究所で研究チームの再編を指揮し、ジョン・バーディーン、ウォルター・ブラッテンら一流の人材からなる固体物理学チームを率い、真空管に代わる半導体増幅器を核とする革命的な研究プロジェクトを正式に開始した。

1949
39歳 仕事

未来を洞察する:結合型トランジスタ理論の登場

結合型トランジスタに関する完全な理論説明を提出し、初の原理的検証を得て、現代電子産業の基盤となるバイポーラ接合トランジスタ(BJT)に対して確固たる理論的基盤を築いた。

1956
46歳 仕事

科学の頂点へ、ノーベル賞を受賞

ジョン・バーディーン、ウォルター・ブラッテンと共に1956年ノーベル物理学賞を受賞しました。半導体研究とトランジスタ効果の発見における画期的な貢献が評価され、彼らの業績は世界的な高みに達しました。

1962
52歳 仕事

学術の頂点へ、米国科学アカデミーの院士に選出

半導体物理と電子デバイス分野での卓越した業績により、米国科学アカデミーの院士に選出され、学術人生が世界的な認知の高みに到達した。

よくある質問

威廉·肖克利の出生資料は信頼できますか? +
出生日は1910-02-13として確認しています。正確な出生時刻は確認できないため、12:00は候補時刻です。
この八字で何を見るべきですか? +
焦点は創造力・発明性と実行力・行動力です。命式だけで断定せず、公開された出来事と合わせて読みます。
なぜ時柱を慎重に扱うのですか? +
信頼できる時刻記録がないため、時柱は比較材料にとどめ、伝記事実とは扱いません。

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